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内容简介:
本书在温殿忠教授提出的JFET压/磁电效应基本理论基础上,给出MOSFETs压/磁多功能传感器在外加压力P≠O、外加磁场B=O;外加压力P≠O、外加磁场B=O;外加压力P≠O、外加磁场8≠O;外加压力P≠O、外加磁场B≠O四种情况下的基本理论分析。采用CMOS工艺和MEMS技术设计、制作以纳米硅/单晶硅异质结为源极(S)和漏极(D)的MOSFETs压/磁多功能传感器。本书设计、制作的纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器能够完成压力和磁场的检测,具有良好的压敏特性和磁敏特性,可实现压/磁检测的集成化和一体化,对传感器的小型化、多功能化、集成化和一体化发展具有重要意义。
书籍目录:
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 多功能传感器研究现状
1.3 MOSFET压力传感器研究现状
1.4 MOSFET磁传感器研究现状
1.5 纳米硅/单晶硅异质结研究现状
1.6 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究目的和意义
1.7 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究的主要内容
第2章 纳米硅薄膜制备及表征研究
2.1 纳米硅薄膜
2.2 PECVD制备多晶硅薄膜
2.3 LPCVD制备纳米硅薄膜
2.4 小结
第3章 MOSFETs压/磁多功能传感器理论分析
3.1 MOSFETs压/磁多功能传感器理论模型
3.2 MOSFETs压/磁多功能传感器理论分析
3.3 小结
第4章 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏结构设计和电源激励方式
4.1 半导体材料压阻效应基本理论
4.2 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏结构设计
4.3 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏结构电源激励方式
4.4 小结
第5章 纳米石圭/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器磁敏结构设计和工作原理
5.1 霍尔效应
5.2 纳米硅/单晶硅异质结p—MOSFET Hall器件基本结构及工作原理
5.3 纳米硅/单晶硅异质结P—MOSFET Hall器件串联输出结构及工作原理
5.4 小结
第6章 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器基本结构与制作工艺
6.1 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器基本结构
6.2 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器制作工艺
6.3 小结
第7章 实验结果与讨论
7.1 纳米多晶硅薄膜压阻特性
7.2 纳米硅/单晶硅异质结p-MOSFET特性
7.3 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏特性
7.4 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器磁敏特性
7.5 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压/磁特性
7.6 小结
第8章 结论
参考文献
作者介绍:
赵晓锋,男,黑龙江省兰西县人,工学博士,黑龙江大学电子工程学院副教授,硕士研究生导师。参加国家自然科学基金项目1项,承担黑龙江省教育厅项目1项,承担并完成黑龙江省电子工程重点实验室项目、黑龙江大学青年科学基金项目、黑龙江大学教改项目各1项。在SCl、El等学
出版社信息:
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书籍摘录:
第1章 绪论
1.2 多功能传感器研究现状
随着传感器及微加工技术的发展,人们可以在同一衬底材料上制作几种敏感元器件,制成能够检测多个参量的集成化多功能传感器。多功能传感器主要有以下几种不同的工作原理及结构形式:几种不同的敏感元器件制作在同一个硅片上,制成集成化多功能传感器,该种传感器集成度高、体积小,各个敏感元器件的工作氛围相同,容易实现补偿和校正,这是多功能传感器发展的一个方向;几种不同的敏感元器件组合在一起形成一个传感器,可以同时测量几个参数,各敏感元器件是独立的,如将测量温度和测量湿度敏感元件组合在一起,构成温湿度多功能传感器;用同一个敏感元器件的不同效应,得到不同的信息,如将线圈作为敏感元件,在具有不同磁导率或介电常数物质的作用下,表现出不同的电容和电感。同一个敏感元件在不同激励下表现出不同特性,例如传感器施加不同的激励电压、电流,在不同温度下,其特性不同,有时可相当于几个不同的传感器。有的多功能传感器检测出的几个信息混在一起,需要用信号处理的方法将各种信息进行分离。
……
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书籍真实打分
故事情节:5分
人物塑造:4分
主题深度:5分
文字风格:9分
语言运用:7分
文笔流畅:9分
思想传递:8分
知识深度:5分
知识广度:9分
实用性:9分
章节划分:3分
结构布局:6分
新颖与独特:5分
情感共鸣:6分
引人入胜:3分
现实相关:3分
沉浸感:9分
事实准确性:9分
文化贡献:5分